擴(kuò)散硅壓力變送器制造商在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)（一般步于400微應(yīng)變），其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化（G因子突變）。
更新時(shí)間：2025-06-09 訪問次數(shù)：2019
擴(kuò)散硅壓力變送器廠硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)（一般步于400微應(yīng)變），其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化。
更新時(shí)間：2024-02-29 訪問次數(shù)：2278
擴(kuò)散硅壓力變送器優(yōu)勢(shì)硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)（一般步于400微應(yīng)變），其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化（G因子突變）。
更新時(shí)間：2024-02-29 訪問次數(shù)：1487
擴(kuò)散硅壓力變送器廠家應(yīng)用硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)（一般步于400微應(yīng)變），其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化（G因子突變）。
更新時(shí)間：2024-02-28 訪問次數(shù)：4328
擴(kuò)散硅壓力變送器硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)（一般步于400微應(yīng)變），其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化（G因子突變）。
更新時(shí)間：2024-02-27 訪問次數(shù)：3877
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